工艺工程师

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参与表面电极离子阱，月薪18000-30000元

职位描述

负责 QCCD（Quantum Charge-Coupled Device）架构离子阱芯片及相关器件的工艺开发、验证、优化与量产导入。 参与表面电极离子阱、分区离子阱及微纳结构设计的可制造性评审，制定晶圆级工艺路线和关键参数规范。 负责光刻、薄膜沉积、刻蚀、电镀、CMP、深硅刻蚀、介质层制备及金属互连等微纳加工工艺。 负责离子阱芯片的划片、清洗、键合、引线互连、封装及超高真空兼容装配工艺。 开发 QCCD 多区域器件的电极一致性、低寄生电容、低电噪声、绝缘可靠性及表面洁净度控制方案。 配合量子测控团队开展离子装载、囚禁、分裂、合并、穿梭及结区转运等功能验证，分析工艺对离子加热率、寿命和门保真度的影响。 建立关键工艺控制计划，完成 DOE、SPC、PFMEA、MSA、失效分析及工艺窗口验证。 分析并解决断路、短路、漏电、介质击穿、薄膜应力、颗粒污染、表面充电和真空放气等工艺问题。 负责工装夹具、掩模版、测试载具及专用工艺设备的需求定义、验收和持续改进。 编制和维护工艺流程、作业指导书、检验标准、设备操作规范及工艺变更文件。 协同芯片设计、离子阱物理、光学、电子学、真空、封装及供应链团队推进产品迭代和工程化交付。 评估外协晶圆厂及供应商的工艺能力，推动关键材料、设备和加工环节的稳定供应。

任职要求

• 负责 QCCD（Quantum Charge-Coupled Device）架构离子阱芯片及相关器件的工艺开发、验证、优化与量产导入。
• 参与表面电极离子阱、分区离子阱及微纳结构设计的可制造性评审，制定晶圆级工艺路线和关键参数规范。
• 负责光刻、薄膜沉积、刻蚀、电镀、CMP、深硅刻蚀、介质层制备及金属互连等微纳加工工艺。
• 负责离子阱芯片的划片、清洗、键合、引线互连、封装及超高真空兼容装配工艺。
• 开发 QCCD 多区域器件的电极一致性、低寄生电容、低电噪声、绝缘可靠性及表面洁净度控制方案。
• 配合量子测控团队开展离子装载、囚禁、分裂、合并、穿梭及结区转运等功能验证，分析工艺对离子加热率、寿命和门保真度的影响。
• 建立关键工艺控制计划，完成 DOE、SPC、PFMEA、MSA、失效分析及工艺窗口验证。
• 分析并解决断路、短路、漏电、介质击穿、薄膜应力、颗粒污染、表面充电和真空放气等工艺问题。
• 负责工装夹具、掩模版、测试载具及专用工艺设备的需求定义、验收和持续改进。
• 编制和维护工艺流程、作业指导书、检验标准、设备操作规范及工艺变更文件。
• 协同芯片设计、离子阱物理、光学、电子学、真空、封装及供应链团队推进产品迭代和工程化交付。
• 评估外协晶圆厂及供应商的工艺能力，推动关键材料、设备和加工环节的稳定供应。