Micro LED器件开发工程师(047682)

AI 摘要智能生成

(Must) 高速 Micro LED 芯片工艺

职位描述

(Must) 高速 Micro LED 芯片工艺： 主导用于光通信的 Micro LED 芯片制程开发。重点优化台面（Mesa）蚀刻与钝化工艺，以此降低表面复合导致的数据传输误码率。 RC 延迟优化与电极设计： 设计低电容、低电阻的芯片电极结构。通过调整介电层厚度与电极几何形状，最大限度降低器件的 RC 时间常数（RC Time Constant），确保高频信号驱动能力。 光电热多物理场仿真： 使用 Crosslight 或 Sentaurus 模拟高电流密度下的 Droop 效应与热特性，确保器件在承载高速调制信号时的可靠性。 (option plus-preferred) 阵列化与驱动集成： 熟悉 Micro LED 阵列与 CMOS 驱动背板（Backplane）的 Flip-chip 键合工艺，了解像素串扰（Crosstalk）对通信信号信噪比（SNR）的影响。

任职要求

• 学历： 微电子、光电工程、物理或材料科学相关专业硕士及以上学历。
• 经验： 5 年以上 III-V 族化合物半导体（GaN/GaAs）芯片制程整合（PIE）或器件研发经验。
• 核心技能：
• 精通微纳制程工艺： 熟悉光刻、ICP 蚀刻、介电层沉积（PECVD/ALD）及金属蒸镀工艺；具备解决微缩像素（<10μm）侧壁损伤（Sidewall Damage）与漏电问题的实战经验。
• 高速器件结构设计： 深刻理解器件物理，能通过优化电极几何结构与欧姆接触（Ohmic Contact）工艺，最大化降低器件的 RC 时间常数（RC Delay） 以提升调制带宽。
• 失效分析与良率提升： 具备 WAT（晶圆接受测试）数据分析能力，能针对 IV/CV 曲线异常定位制程缺陷（如电流拥挤、电迁移）。
• 加分项： 有 Flip-chip（倒装）键合工艺经验、或曾参与可见光通信（Li-Fi）/ 高速光电探测器研发项目者优先。