慧实习
← 返回首页

GaN器件研发工程师(博士)

GaN器件研发课 · 湖南省·长沙市 · 社招

信息来源:三安光电官方招聘查看原始链接 ↗薪资面议
立即投递 ↗

AI 摘要智能生成

竞品逆向分析

职位描述

1. 新型氮化镓功率器件设计,器件结构仿真与应用: a.持续提升产品比导通电阻,降低成本的同时确保器件可靠性与稳定性; b.特殊器件结构设计,Silvaco/Sentaurus器件仿真,结合实际工艺情况,优化版图设计; c.客户需求设计资料维护(设计规范及参考设计)。 2. 氮化镓功率器件电学特性测试,可靠性与寿命评估。 a. GaN功率器件电性(含Datasheet量测)和测试报告、技术说贴的整理; b. 产线器件电性异常处理分析; c. 可靠性测试数据收集整理 (包含器件寿命测试与评估)。 3. 全氮化镓集成电路设计与仿真,驱动、保护模块验证: a. GaN全集成功率平台搭建,驱动、保护模块电路设计; b. SPICE 模型建立;基础电路模型仿真; c. 流片完成后,IC电路实际应用演示。 4.竞品逆向分析, 项目/知识产权: a. 友商竞品及专利地图分析; b. 厂内特殊设计专利申请。 5.客户产品的产出和特性,异常复现与处理; a. 与厂内其他部门沟通,确保客户产品顺利出货; b. 客户代工产品反馈异常后,复现与根因找寻。

任职要求

  • 硕士研究生及以上学历,电子或微电子及相关专业、电气及自动化及相关专业;
  • 经验要求:器件仿真和版图设计,器件模型提参及建立经验;集成电路设计经验;功率器件测试与应用相关经验;功率器件可靠度经验;其中GaN器件相关经验者优先。

同类岗位推荐